3 УДК 541.135.4 ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ТЕРМООБРАБОТКИ НА ИОНПРОВОДЯЩИЕ СВОЙСТВА ТИТАНОФОСФАТА ЛИТИЯ-АЛЮМИНИЯ © Г. Б. Куншина, И. В. Бочарова, В. И. Иваненко Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. <...> И. В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты Е-mail: kunshina@chemy.kolasc.net.ru Поступило в Редакцию 2 марта 2017 г. Изучена зависимость плотности керамики состава Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3 (LATP) от режимов термообработки. <...> Определены условия получения керамических образцов с плотностью выше 90%. <...> Установлено, что объемная ионная проводимость LATP после спекания при 1000°C в течение 2–6 ч составила (1.1–1.3)·10–3 См·см–1 при 20°C, что соответствует максимальным значениям для титанофосфата лития-алюминия. <...> В настоящее время твердые электролиты на основе замещенных титанофосфатов лития со структурой NASICON относят к числу перспективных для полностью твердотельных литий-ионных аккумуляторов (ЛИА) [1, 2]. <...> Контроль за стехиометрией, отсутствие примесных непроводящих фаз и формирование микроструктуры с высокой кристалличностью необходимы для повышения проводимости поликристаллических твердых электролитов. <...> Для роста общей проводимости используют управление микроструктурой, например, посредством увеличения размера зерна и уменьшения числа границ зерен [3]. <...> Формирование микроструктуры в результате классического, микроволнового, электроимпульсного плазменного спекания и горячего прессования порошков твердых электролитов со структурой NASICON изу чалось в работах [4–7]. <...> Различия в микроструктуре замещенных титанофосфатов лития состава Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3 (LATP), полученных классическим и электроимпульсным плазменным спеканием (spark plasma sintering), отмечали авторы [5, 6]. <...> Метод SPS позволил приготовить образцы LATP с высокой плотностью при более низкой температуре и за более короткое время, чем способ классического спекания, избегая сегрегации побочных фаз. <...> Максимальная проводимость на уровне 10−3 См·см–1 при комнатной температуре была достигнута для однофазных <...>