Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 610371)
Контекстум
Датчики и системы. Sensors & Systems  / №9 (112) 2008

ДАТЧИКИ НА ОСНОВЕ НОВЫХ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫХ ЭФФЕКТОВ (150,00 руб.)

0   0
Первый авторГуржин
АвторыЖулев В.И., Никитин С.В.
Страниц10
ID601408
АннотацияРассмотрены устройство, принцип действия и особенности применения новых магниторезистивных датчиков в различных областях промышленности и медицины
УДК681.586.7
Гуржин, С.Г. ДАТЧИКИ НА ОСНОВЕ НОВЫХ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫХ ЭФФЕКТОВ / С.Г. Гуржин, В.И. Жулев, С.В. Никитин // Датчики и системы. Sensors & Systems .— 2008 .— №9 (112) .— С. 54-63 .— URL: https://rucont.ru/efd/601408 (дата обращения: 19.04.2025)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

В. Ю. Кнеллеp УДК 681.586.7 ДАТЧИКИ НА ОСНОВЕ НОВЫХ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫХ ЭФФЕКТОВ С. Г. Гуржин, В. И. Жулев, С. В. Никитин Рассмотрены устройство, принцип действия и особенности применения новых магниторезистивных датчиков в различных областях промышленности и медицины. <...> ВВЕДЕНИЕ Рассматриваемые ниже датчики построены на основе новых открытых магниторезистивных эффектов: GMR (Giant Magnetoresistor) — гигантское магнитосопротивление и SDT (Spin-Dependent Tunneling) — спин-зависимое туннелирование. <...> Основные характеристики GMR- и SDT-преобразователей значительно превосходят их аналоги из гальваномагнитной группы (монолитные и тонкопленочные анизотропные магниторезисторы AMR (Anisotropic Magnetoresistor), датчики Холла, магнитодиоды и др. <...> . Они имеют существенно большую чувствительность к измеряемым параметрам магнитного поля (МП) и меньшие размеры, благодаря чему становится возможным изготовление матриц магниторезисторов в интегральном исполнении. <...> Явление гигантского магнитосопротивления было открыто во Франции (1988) при исследовании свойств сверхтонких многослойных структур, состоящих из чередующихся слоев ферромагнитного и немагнитного металлов [2, 3]. <...> 54 Sensors & Systems · ¹ 9.2008 Помимо аббревиатуры SDT в литературе также используется сокращенное обозначение MTJ (Magnetic Tunnel Junctions) — магнитные туннельные переходы. <...> Хотя концепция спинового туннелирования известна уже более 30 лет, активно развивать SDT-технологию начали только с 1995 г., когда было получено относительное изменение магнитосопротивления SDT-датчика в 10 %. <...> Он состоит из тонких ферромагнитных (Fe, Co) пленок 1 и немагнитной (Cu, Ag) прослойки 2. <...> Структура GMR наблюдается эффект, составляет два ферромагнитных слоя, разделенных немагнитной прослойкой. <...> Электрическое сопротивление между крайними ферромагнитными пластинами является выходным параметром GMR. <...> 1, а, направление намагниченности показано стрелками), то ферромагнитные слои притягиваются друг к другу и это состояние стабильно. туры в магнитное <...>