2, г, можно применять для значительного повышения чувствительности, если потребляемая мощность не является критичным параметром, например, для водородочувствительных датчиков, основную мощность в которых потребляет нагреватель. <...> Схемы на рисунках 1, б, 2 и 3 могут быть выполнены на p-канальных МДПТ ЧЭ, тогда напряжение питания во всех схемах — отрицательное. <...> ЗАКЛЮЧЕНИЕ Сравнительный анализ характеристик различных вариантов включения МДПТ ЧЭ в схемы вторичного преобразования схем показал, что чувствительность, потребляемая мощность и диапазон преобразования зависят от типа и конфигурации схемы, числа ЧЭ, начальных значений порогового напряжения, напряжения на затворе ЧЭ, напряжения питания и сопротивлений резисторов. <...> Уникальная особенность МДПТ ЧЭ — управляемость их характеристик напряжением между затвором и подложкой UЗП, что, помимо оптимального выбора начального значения UЗП, позволяет повышать чувствительность датчиков за счет применения “самоуправляемых” схемных конфигураций с внутренним усилением. <...> Интегральные сенсоры концентраций газов // Датчики и системы. <...> Исследования стабильности характеристик интегральных сенсоров водорода и влияния на них светового излучения // Датчики и системы. <...> Андрей Викторович Коваленко — ген. директор ООО Induko Ltd (г. Москва); (495) 506-66-78 E-mail: a.kovalenko@induko.ru Марина Юрьевна Никифорова — канд. техн. наук, доцент МИФИ; (495) 323-91-90 E-mail: mnikiforova@bk.ru Борис Иванович Подлепецкий — канд. техн. наук, рук. лаборатории, доцент МИФИ, чл.-корр. <...> Метрологической академии и Академии медико-технологических наук РФ. <...> 324-01-84, 323-91-90 E-mail: bobpod@list.ru УДК 621.797 ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК ГАЗОВЫХ СРЕД1 Д. В. Русских, С. И. Рембеза, С. Ю. Жиронкин, Д. Ю. Куликов, В. А. Буслов Приведены основные этапы технологии изготовления высокочувствительных полупроводниковых датчиков газовых сред и зависимости величины адсорбционного отклика датчиков от концентрации паров этилового <...>