В. Ю. Кнеллеp УДК 621.3.049.77.001.5 РЕЛАКСАЦИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ И ЕЕ ПРИМЕНЕНИЕ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ1 В. Г. Литвинов, В. В. Гудзев, О. А. Милованова, Н. Б. Рыбин Рассмотрены физические основы метода релаксационной спектроскопии глубоких уровней и особенности его применения для исследования полупроводниковых квантово-размерных гетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками. <...> Ключевые слова: релаксационная спектроскопия, глубокий уровень, квантовая яма, квантовая точка, сечение захвата, ток релаксации. <...> ВВЕДЕНИЕ Релаксационная спектроскопия как метод исследования дефектов с глубокими уровнями в полупроводниковых барьерных структурах Шоттки, p-n-переходах, МДП-структурах была предложена Лэнгом в 1974 г. [1]. <...> В ангоязычной аббревиатуре она известна как “Deep level transient spectroscopy” или сокращенно DLTS [1]. <...> В настоящее время DLTS реализуется в различных вариантах: зарядовая (QDLTS); токовая (CDLTS); емкостная (DLTS); оптическая (ODLTS); двойная (DDLTS) [2—4]; DLTS с преобразованием Лапласа (LDLTS). DLTS-спектрометры, выпускаемые зарубежными фирмами, различаются чувствительностью по минимальному значению концентрации дефектов с глубокими уровнями (ГУ), видом используемых взвешивающих функций для проведения корреляционной обработки, 1 Работа выполнена при поддержке грантом президента РФ МК-2616.2008.2 и финансовой поддержке Министерства образования РФ. наличием нескольких методик измерений в одной установке и т. д. DLTS-метод и сейчас остается одним из эффективных методов исследования ГУ в полупроводниковых барьерных структурах, а в последнее десятилетие он получил свое развитие в применении к полупроводниковым наноструктурам. <...> С помощью DLTS можно изучать процессы эмиссии и захвата носителей заряда (НЗ) в квантовых ямах (КЯ) [5—7] и квантовых точках (КТ). <...> На основе данных DLTS были определены разрывы валентной зоны и зоны проводимости в полупроводниковых квантово-размерных <...>