Диаграммы рассеяния температурного гистерезиса чувствительности Гтч – шириной участка мембраны под тензорезисторами: 1 группа — bм = 17.21 мкм; 2 группа — bм = 37.78 мкм на рис. <...> 5 с учетом влияния величины bм на показатель Пкч (см. рис. <...> Нелинейность выходной характеристики ИПД 5.2 заметно снижается при уменьшении dос с 1,6 до 0,3 мкм (см. рис. <...> Поэтому для тензомодулей на номинальные давления менее 10 кПа предпочтительнее использовать кристаллы ИПД 5.2 с тонким окисным слоем над мембраной, имеющей толщину 16—22 мкм. <...> Гтч – Температурный гистерезис чувствительности тензопреобразователей ИПД 5.2 при воздействии пониженных температур (до –50 °C) проявляется существенно слабее для кристаллов с малой (20 мкм) шириной прямолинейных участков мембраны под тензорезисторами в сравнении с кристаллами, имеющими ширину этих участков для кристаллов ИПД 5.2 с различной 40.80 мкм (в среднем 0,12 и 0,18 % соответственно, рис. <...> Гтч – Таким образом, при замене плоской мембраны ИПД на мембрану с жестким центром большой выигрыш по нелинейности выходной характеристики сопровождается заметным снижением показателя чувствительности конструкции. <...> При переходе к мембране с рассредоточенным жестким центром достигается значительное увеличение показателя чувствительности конструкции ИПД при одновременном улучшении нелинейности и других метрологических характеристик. <...> Преобразователи давления — микросхемы серии 1191, 1192 // Датчики и системы. <...> О показателе чувствительности конструкции кремниевых тензопреобразователей давления // Датчики и системы. <...> Елена Валерьевна Игнатьева — аспирант кафедры “Микроэлектроника” Московского института электронной техники (МИЭТ); E-mail: elena.ignateva@gmail.com Юрий Александрович Михайлов — канд. техн. наук, руководитель группы НПК “Технологический центр” МИЭТ; 8 (499) 720-85-00 Владимир Валентинович Панков — ст. научн. сотрудник НПК “Технологический центр” МИЭТ. <...> Мелекаев Представлена принципиально новая измерительная <...>