Как видно, в коротковолновой части спектра 250.600 нм квантовый выход у всех фотодиодов достаточно высокий (от 90 до 100 %). <...> Были измерены барьерные емкости полученных фотодиодов при смещении –1 В, которые для подложек КДБ-10, 1КДБ-10/КДБ-0,1 и КДБ-0,1 составили 660; 690 и 1700 пФ соответственно при площади p-n-перехода 7,3 мм2. <...> Фотоприемник, изготовленный на основе эпитаксиальной структуры, имел смещенную в коротковолновую область спектральную характеристику и выгодно отличался меньшим значением барьерной емкости, что должно сказываться на повышении быстродействия прибора. <...> Таким образом, использование субмикронных легированных слоев обеспечивает кремниевым фотоприемникам высокий квантовый выход в ультрафиолетовой области. <...> Увеличение исходной концентрации примеси в подложке (с 1015 до 1017 см–3) заметно снижает чувствительность кремниевых фотодиодов в длинноволновой области и сдвигает максимум чувствительности в область коротких длин волн (от традиционного значения 0,95 до 0,6 мкм). <...> Применение тонкого высокоомного эпитаксиального слоя на низкоомной подложке (до 0,1 Ом•см) позволяет значительно снизить чувствительность кремниевого фотодиода в ИК и видимой областях спектра, сохранив при этом высокие значения чувствительности в УФ-диапазоне и малые значения барьерной емкости. <...> Валерий Владимирович Гаврушко — зав. кафедрой общей и экспериментальной физики Новгородского государственного университета им. <...> Е-mail: lastkinva@mail.ru УДК 681.586'33.72 ВЛИЯНИЕ КОНСТРУКЦИИ МЕМБРАНЫ НА ПАРАМЕТРЫ ВЫХОДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЕВОГО ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ДАВЛЕНИЯ Е. В. <...> Игнатьева, Ю. А. Михайлов, В. В. Панков Показано, что мембрана с рассредоточенным жестким центром обеспечивает значительное увеличение показателя чувствительности конструкции кристалла ИПД 5.2 при одновременном уменьшении нелинейности и температурного гистерезиса выходной характеристики. <...> Достигнуто снижение верхнего предела измеряемого давления с 10 до 2,5 кПа <...>