УДК 621.385.5 КРЕМНИЕВЫЕ ФОТОПРИЕМНИКИ С ВЫСОКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ К УЛЬТРАФИОЛЕТОВОМУ ИЗЛУЧЕНИЮ В. В. <...> Гаврушко, А. С. Ионов, В. А. Ласткин Исследовано влияние степени легирования подложки исходного материала на вид спектральной характеристики кремниевого фотодиода, получаемого методом ионной имплантации. <...> Установлено влияние степени легирования подложки на чувствительность в длинноволновой области спектра. <...> Произведена оценка диффузионной длины электронов, которая в подложке КДБ-10 составила 27 мкм, а в подложке КДБ-0,1 — 6,8 мкм. <...> Для решения различных задач науки и техники в области оптоэлектроники широкое применение нашли полупроводниковые фотодиоды. <...> Сегодня используется широкий круг как узкозонных, так и широкозонных полупроводниковых материалов, на основе которых разрабатываются фотоприемники для различных областей оптического спектра. <...> Как известно, стандартные кремниевые фотоприемники имеют хорошую чувствительность в диапазоне длин волн 400.1100 нм с максимумом чувствительности в области 850.950 нм. <...> Однако для решения некоторых задач требуются фотоприемники со спектральной характеристикой, отличной от стандартной, например, фотоприемник, имеющий высокую чувствительность в ультрафиолетовой области и низкую в длинноволновой части спектра. <...> В настоящей работе приведены результаты исследования способов управления спектральной характеристикой кремниевого фотодиода путем выбора метода формирования p-n-перехода и степени легирования исходной подложки. <...> Спектральная чувствительность фотодиодов определяется, в основном, значением ширины запрещенной зоны полупроводниковых материалов и зависимостью коэффициента поглощения электромагнитного излучения данного материала от длины волны. <...> Низкая чувствительность в ультрафиолетовой области наиболее распространенных диффузионных кремниевых фотоприемников связана с большой величиной коэффициента поглощения кремния в области, где он достигает <...>