Силовая электроника, № 2’2017 Силовая элементная база BISS-транзисторы в режиме насыщения В статье приведены экспериментальные данные режима насыщения некоторых типов современных BISSтранзисторов. <...> Показано, что для них применимы критерии режима насыщения, в частности — коэффициент передачи тока в режиме насыщения h21нас, разработанный ранее для традиционных ключевых биполярных транзисторов. <...> Андрей Зенченко anzenchenko@yandex.ru 1983–1986 гг. в ряде работ [1–3] был предложен новый квалификационный параметр, гарантированно обеспечивающий для биполярных транзисторов режим насыщения (ключевой режим) — коэффициент передачи тока в режиме насыщения h21нас. <...> В силу ряда объективных и субъективных факторов в те годы данный параметр оказался, за редкими исключениями, не востребованным разработчиками биполярных ключевых транзисторов и не вошел в ГОСТ. <...> Был разработан прибор «Классификатор» [4], позволивший в полуавтоматическом режиме измерять h21нас как отдельных транзисторов, так и партий транзисторов. <...> Испытания проводились на Брянском заводе полупроводниковых приборов (в настоящее время «Группа Кремний Эл»). <...> Для экспериментов использовался лучший в то время, с точки зрения ключевых свойств, транзистор 2Т836Б. <...> Коэффициент h21нас стал основой системы оценки статических и динамических параметров транзисторов в ключевом режиме [5]. <...> Силовые биполярные транзисторы, вопреки прогнозам конца 80-х годов, и в настоящее время не утратили своего значения. <...> Они, в частности, востребованы в источниках питания с повышенным КПД (в мобильных устройствах, питаемых от источников ограниченной мощности, в устройствах космического назначения, для которых отвод тепла в условиях вакуума представляет серьезную проблему, и т.п). <...> Появились транзисторы с низким напряжением насыщения — так называемые BISS-транзисторы [6–7]. <...> Однако проведенные автором испытания различных типов указанных транзисторов показали, что, несмотря на улучшение количественных <...>