162 технологии Отступать было некуда Владимир УРАЗАЕВ Автор статьи размышляет о проблемах, возникающих в процессе практического применения отечественной теории решения изобретательских задач (ТРИЗ), и описывает пример решения реальной технической задачи в компании Samsung Electronics. <...> Мечты, мечты Генрих Альтшуллер, основоположник теории решения изобретательских задач (ТРИЗ), разделил изобретательские задачи по степени трудности на пять уровней [1]: 1. <...> Если на первом уровне объект изобретения не изменяется (усилили всего лишь уже имеющуюся теплоизоляцию), то на втором уровне объект модифицируется, но не сильно. <...> Решение задач достигается тем, что объект изобретения изменяется существенно. <...> Изменяется вся техническая система, в которую входит объект изобретения. <...> Задачи высших уровней сложности отличаются от самых простых не только числом проб, необходимых для нахождения решения. <...> Задачи первого уровня и средства их решения находятся в пределах одной узкой специальности. <...> Решения задач четвертого уровня следует искать уже не в технике, а в науке. <...> А решения задач пятого уровня могут оказаться и за пределами знаний современной науки. <...> Именно на решение самых сложных задач (4–5 уровень), по мнению Генриха Альтшуллера, была нацелена ТРИЗ. <...> Прошло уже больше половины века, но, к сожалению, прорывных изобретений с помощью ТРИЗ создать так и не удалось… <...> Вам и карты в руки Аналогичная проблема наблюдалась и в компании Samsung Electronics. <...> Руководству полупроводникового производства компании (Samsung Semiconductor) было предложено сформулировать ключевые задачи, которые сдерживают развитие производства микросхем памяти в ближайшей и отдаленной перспективе. <...> В то же самое время ее решение для компании являлось чрезвычайно важным. <...> Речь шла о передаче в серийное производство нового типа микросхем памяти (Phase change memory). <...> Samsung Electronics — лидер в производстве микросхем памяти, в первую очередь NAND Flash Memory и DRAM (от 30 до 40% мирового производства <...>