УДК 681.586'33:681.528.4 К содержанию РАСЧЕТ ЭНЕРГИИ СВЯЗИ МОЛЕКУЛЫ С ПОВЕРХНОСТЬЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ГАЗОВОГО СЕНСОРА Ю. Н. <...> Николаев, Л. И. Казаков, И. В. Павловский, М. А. Пинигин Рассмотрены результаты расчетов энергии связи адсорбированной газовой молекулы с поверхностью полупроводникового газового сенсора на основе SnO2. <...> Показано, что зависимость энергии связи от числа атомов углерода в гомологическом ряду для органических веществ (таких как спирты, углеводороды) с большой точностью представляет собой прямую линию, причем для разных классов соединений прямые — параллельны. <...> Экспериментальные данные для расчетов получены на базе газоанализатора ГАНК-4РБН. <...> В работе [1] приведены результаты экспериментов по изучению величины сигнала органических спиртов на полупроводниковых датчиках с использованием газоанализатора ГАНК-4РБН. <...> Показано, что для полупроводниковых газовых сенсоров на основе SnO2 экспериментальную зависимость величины U сигнала датчика от концентрации с исследуемого органического вещества можно описать адсорбционной изотермой Ленгмюра. <...> Здесь θ(с) — коэффициент адсорбции или степень заполнения адсорбированными молекулами газа адсорбирующих узлов (“ловушек”) на поверхности полупроводника; Umax — сигнал насыщения при с . <...> Umax 2 В том случае, когда парциальное давление р исследуемой примеси малo зом, и тогда , ее можно считать идеальным гаP = cRT/M; c = m/V,(3) где m — масса примеси в объеме V; R — молярная газовая постоянная; Т — термодинамическая температура газа; М — молярная масса примеси. <...> Изотерма Ленгмюра (1) (или (4)) получена в следующих простейших предположениях: — происходит термодинамически равновесный стационарный обмен молекулами примеси между поверхностью полупроводника и окружающим ее объемом газа; 38 Sensors & Systems · ¹ 7.2012 где (T) — стандартный потенциал Гиббса для одного G 0 моля вещества при давлении р1 = 1 атм = 101 325 Па и температуре Т; R = 8,3144 Дж/моль•К. <...> Эта запись удобна тем, что позволяет <...>