Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635051)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Датчики и системы. Sensors & Systems  / №6 (157) 2012

СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА (150,00 руб.)

0   0
Первый авторФилиппов
АвторыГрибенюков А.И., Бабушкин Ю.В.
Страниц4
ID600008
АннотацияОписана система управления технологическим процессом выращивания кристаллов в многозонных термических установках Бриджмена. Система выполнена в виде управляющего вычислительного комплекса, основу которого составляют многоканальный программируемый контроллер, модули ввода и вывода аналоговой информации, алгоритмическое и программное обеспечение. Приведены результаты внедрения и апробации разработанной системы
УДК681.52
Филиппов, М.М. СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА / М.М. Филиппов, А.И. Грибенюков, Ю.В. Бабушкин // Датчики и системы. Sensors & Systems .— 2012 .— №6 (157) .— С. 2-5 .— URL: https://rucont.ru/efd/600008 (дата обращения: 05.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

УДК 681.52 Приборостроение Сибири1 К содержанию СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА2 М. М. Филиппов, А. И. Грибенюков, Ю. В. Бабушкин Описана система управления технологическим процессом выращивания кристаллов в многозонных термических установках Бриджмена. <...> Система выполнена в виде управляющего вычислительного комплекса, основу которого составляют многоканальный программируемый контроллер, модули ввода и вывода аналоговой информации, алгоритмическое и программное обеспечение. <...> Приведены результаты внедрения и апробации разработанной системы. <...> Ключевые слова: система автоматического регулирования, многозонная термическая установка, рост кристаллов, метод Бриджмена. <...> ВВЕДЕНИЕ Получение монокристаллов с параметрами, необходимыми для практических приложений, является трудной научно-технической задачей, успех решения которой зависит не только от понимания физико-химических процессов, протекающих на всех этапах выращивания кристалла, но и возможностей применяемого термического оборудования. <...> Многочисленными экспериментальными работами, проведенными в нашей стране [1] и за рубежом [2], показано, что хорошее структурное совершенство кристаллов достигается, если в ходе технологического процесса выполняются следующие условия: — скорость изменения температуры в рабочем объеме установки не превышает 1 °C/мин для обеспечения допустимого уровня термомеханических напряжений; — погрешность регулирования и поддержания температуры в рабочем объеме не превышает 0,1 °C для достижения однородности структурных свойств выращиваемого кристалла; 1 Окончание. <...> 2 — реализация выпуклой в сторону расплава формы фронта кристаллизации, которая приводит к подавлению паразитного зародышеобразования и повышению однородности свойств растущего кристалла [3]; — осевая скорость роста кристалла должна соответствовать скорости перемещения ростового контейнера <...>