Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 645695)
Контекстум
Датчики и системы. Sensors & Systems  / №10 (161) 2012

АНАЛИЗ КАЧЕСТВА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР МДМ (150,00 руб.)

0   0
Первый авторЧебурахин
АвторыХошев А.В., Торгашин С.И.
Страниц4
ID599155
АннотацияПредставлены результаты исследований способов оперативной оценки качества тонкопленочных тензоструктур в системе металл—диэлектрик—металл (МДМ), полученных методом распыления в вакууме на металлических подложках — упругих элементах (УЭ), используемых для изготовления датчиков давления. Показано, что предложенные решения при значительном сохранении времени и затрат позволяют оценивать дефектность (раковины, поры, инородные включения и др.) как на рабочей поверхности отполированного УЭ, так и послойно в тонкопленочной структуре МДМ на этапах отработки технологии, а также при анализе некондиционных ЧЭ, появляющихся в процессе производства
УДК620.19:658.562
Чебурахин, И.Н. АНАЛИЗ КАЧЕСТВА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР МДМ / И.Н. Чебурахин, А.В. Хошев, С.И. Торгашин // Датчики и системы. Sensors & Systems .— 2012 .— №10 (161) .— С. 19-22 .— URL: https://rucont.ru/efd/599155 (дата обращения: 17.07.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

УДК 620.19:658.562 АНАЛИЗ КАЧЕСТВА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР МДМ И. Н. <...> Чебурахин, А. В. Хошев, С. И. Торгашин Представлены результаты исследований способов оперативной оценки качества тонкопленочных тензоструктур в системе металл—диэлектрик—металл (МДМ), полученных методом распыления в вакууме на металлических подложках — упругих элементах (УЭ), используемых для изготовления датчиков давления. <...> Показано, что предложенные решения при значительном сохранении времени и затрат позволяют оценивать дефектность (раковины, поры, инородные включения и др.) как на рабочей поверхности отполированного УЭ, так и послойно в тонкопленочной структуре МДМ на этапах отработки технологии, а также при анализе некондиционных ЧЭ, появляющихся в процессе производства. <...> ВВЕДЕНИЕ Одним из важных требований к качеству сформированной схемы является отсутствие таких дефектов, как раковины, поры, инородные включения и т. д., которые проявляются особенно при воздействии механических и температурных (электрических) нагрузок, а также с течением времени в форме отказов — медленное и скачкообразное изменение начального разбаланса, потеря сопротивления изоляции, пробой диэлектрической пленки [1, 2]. <...> Используемые традиционные методы контроля — визуальный осмотр, изменение сопротивления изоляции, диэлектрические потери, величина разброса резисторов на каждом ЧЭ, ТКС — не позволяют полностью оценивать и прогнозировать степень влияния дефектов во времени на работоспособность ЧЭ, поэтому часть сборок приходится отбраковывать на этапах технологических тренировок при изготовлении датчика. <...> Целью данной работы является нахождение решения по оперативной оценке степени дефектности (в том числе скрытых дефектов) в тонкопленочных структу1 2 рах, позволяющих обнаруживать их на любом уровне структуры, находить причины и принимать меры по корректирующим воздействиям [3]. <...> ОБЪЕКТ ИССЛЕДОВАНИЯ В работе используются ЧЭ, отбракованные <...>