Рассмотрена возможность увеличения быстродействия полупроводниковых преобразователей, работающих в импульсном режиме, путем увеличения несущей частоты или путем отказа от широтно-импульсной модуляции (ШИМ) в пользу частотной ШИМ. <...> Установлена связь между несущей частотой ШИМ и предельным быстродействием контура тока, которое может достигаться в замкнутых системах регулирования с использованием классических частотных методов синтеза линейных систем. <...> Предложена математическая (имитационная) модель полупроводникового устройства, аппроксимированная идеальными звеньями, без учета падения напряжения на полупроводниковых ключах и интервала мертвого времени. <...> На имитационной модели сопоставлены частотные характеристики преобразователей частоты, один из которых работал в линейном режиме, второй — в импульсном. <...> Определено граничное значение частоты, начиная с которой частотные характеристики линейной и импульсных систем расходятся, для разных случаев передаточных функций «неизменяемой части». <...> Установлено, что эта частота наиболее близко приближается к частоте Найквиста при амплитуде резонансного максимума Ат>1! <...>