Проведено двумерное численное моделирование процессов переключения эквивалентных кремниевых биполярных транзисторов с изолированным затвором типа CSTBT и комбинированных СИТ-МОП-тиристоров (КСМТ) из блокирующего состояния в проводящее и обратно. <...> Показано, что при включении и выключении энергия коммутационных потерь в тиристоре КСМТ больше, чем в полностью эквивалентном тиристоре CSTBT, поэтому средняя по времени мощность Р, рассеиваемая в тиристоре КСМТ, становится меньше, чем в эквивалентном тиристоре CSTBT только при большой длительности импульса тока. <...> Однако уменьшение времени жизни Tq неравновесных носителей заряда в СИТ позволяет существенно снизить коммутационные потери тиристора КСМТ, сохраняя его преимущество в открытом состоянии. <...> Вследствие этого для каждого набора параметров тиристора CSTBT можно подобрать такое т0 в «почти эквивалентном» тиристоре КСМТ, что мощность Р, рассеиваемая в тиристоре КСМТ, будет меньше, чем в эквивалентном тиристоре CSTBT в любом заданном диапазоне значений амплитуды JQ и длительности TQn импульсов тока! <...>