119–125 УДК 548.4;620.186 ПРЕДЕЛЫ РАСТВОРИМОСТИ МАРГАНЦА В InSb ПРИ РАВНОВЕСНЫХ И НЕРАВНОВЕСНЫХ УСЛОВИЯХ СИНТЕЗА © 2017 г. В. П. Саныгин*, О. Н. Пашкова, А. Д. Изотов** Институт общей и неорганической химии им. <...> Н.С. Курнакова Российской академии наук, Россия, 119991 Москва, Ленинский пр., 31 *e-mail: sanygin@igic.ras.ru **e-mail: izotov@igic.ras.ru Поступила в редакцию 08.06.2016 г. Определено, что при синтезе InSb〈Mn〉 методом закалки расплава выпадение второй фазы в образцах InSb наблюдается при более высоких концентрациях марганца, чем при выращивании методом Чохральского. <...> Наблюдаемое концентрационное запаздывание выпадения второй фазы объяснено как сложным многоэтапным процессом образования сидячих дислокаций Ломера–Коттрелла, сопровождающим кристаллизацию полупроводниковых соединений AIIIBV, так и диффузионными ограничениями поступления примеси к дислокациям, вызванными высокими скоростями закалки и наличием других дефектов кристаллической решетки. <...> Ключевые слова: магнитные полупроводники, твердые растворы, дислокации DOI: 10.7868/S0002337X17020117 ВВЕДЕНИЕ В работе [1] свойство дислокаций притягивать к себе атомы примеси рассмотрено с точки зрения возможности создания принципиально новых магнитных полупроводников для спиновой электроники, в которых ячейками магнитной памяти служат дислокации, легированные d-элементами. <...> Направление исследований примесного дислокационного магнетизма в полупроводниковых соединениях AIIIBV требует тщательного анализа как новых экспериментальных данных по участию дислокаций в формировании электрических и магнитных свойств магнитных полупроводников, так и результатов, уже имеющихся в литературе. <...> Наиболее близка к теме данного исследования работа [2], из которой следует, что на продольных шлифах монокристаллических образцов InSb, легированных марганцем, в условиях, максимально приближенных к равновесным, обнаружены включения второй фазы игольчатого типа. ленных образцов InSb〈Mn〉 с малым содержанием марганца <...>