81–86 УДК 54.165+537.226 АНИЗОТРОПИЯ И ТЕМПЕРАТУРНАЯ СТАБИЛЬНОСТЬ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЬЕЗОКЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ Bi3TiNbO9 © 2017 г. А. <...> Обуха *e-mail: politova@cc.nifhi.ac.ru Поступила в редакцию 18.04.2016 г. Изучено влияние условий получения на структуру, диэлектрические, пьезоэлектрические и другие характеристики керамических образцов, вырезанных из крупногабаритных объемных горячепрессованных заготовок на основе модифицированного Bi3TiNbO9. <...> Определены условия, способствующие получению высоких пьезоэлектрических параметров, обеспечивающих возможность длительного функционирования керамик на основе Bi3TiNbO9 при температуре 750°С. <...> Ключевые слова: слоистые висмутсодержащие сегнетоэлектрические оксиды, Bi3TiNbO9, пьезоэлектрическая керамика, горячее прессование DOI: 10.7868/S0002337X17010146 ВВЕДЕНИЕ Особый интерес для создания новых высокотемпературных пьезоэлектрических материалов представляют оксиды, имеющие слоистую перовскитоподобную структуру Ауривиллиуса [1–3]. <...> Среди фаз Ауривиллиуса оксиды Bi3TiNbO9 (BTNO) и CaBi2Nb2O9 характеризуются наиболее высокими температурами фазовых переходов в параэлектрическую фазу (точки Кюри tC) ~ 913 и 930°C, соответственно [4–6]. <...> Значение tС определяет верхнюю границу интервала рабочих температур керамики. <...> Катионные замещения в А- и/или В-позициях кристаллической решетки оксидов со структурами Ауривиллиуса эффективно влияют на параметры структуры и процессы поляризации керамик [7–18]. <...> В работе [17] исследовано влияние одновременного замещения катионами Sc3+ и Ta5+ на свойства керамики Bi3TiNbO9. <...> В результате изучения свойств Bi3Ti1– xScx/2Tax/2NbO9 с x = = 0.00, 0.02, 0.04, 0.06 было установлено, что такое модифицирование обеспечивает значительное снижение диэлектрических потерь и существенно улучшает пьезоэлектрические свойства керамики. <...> Значение d33 составило 12 пК/Н при x = 0.04, что в 2 раза превышает значение d33 для немодифицированных керамик BTNО (d33 = 6 пК/Н). <...> Максимальные значения механической добротности Q = 1270 и планарного коэффициента <...>