Шерченков1 ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ИЗОКОНВЕРСИОННЫЙ МЕТОД ОЦЕНКИ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ТОНКИХ ПЛЕНОК МАТЕРИАЛОВ ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ Ge2Sb2Te5 , С. <...> Ленина, 36 *e-mail: sergkoz@igic.ras.ru Поступила в редакцию 24.03.2016 г. Предложен метод оценки кинетических параметров кристаллизации тонких пленок материалов фазовой памяти, заключающийся в совместном использовании безмодельных и модельных изоконверсионных методов при анализе результатов дифференциальной сканирующей калориметрии. <...> С использованием метода найдены модель реакции, энергия активации кристаллизации и предэкспоненциальный множитель в зависимости от степени преобразования для тонких пленок на основе Ge2Sb2Te5. <...> Ключевые слова: кинетика процесса кристаллизации DOI: 10.7868/S0002337X17010158 ВВЕДЕНИЕ Бурное развитие компьютерных технологий во многом связано с появлением новых типов памяти, позволяющей оперировать большими массивами данных с высокой скоростью обмена. <...> Активно развиваются в последние десятилетия такие направления, как мемристорная память (ReRAM) [1], магниторезистивная память (MRAM) [2], ферроэлектрическая память (FeRAM) [3] и др. <...> Как правило, возможности устройств памяти нового поколения определяются функциональными возможностями материалов, на основе которых они созданы, что определяет интерес исследователей к таким материалам. <...> Одним из наиболее перспективных направлений среди подходов по созданию нового поколения энергонезависимой памяти является фазовая память (PCMRAM) [4]. <...> Принцип действия подобных устройств основан на обратимом фазовом переходе материала из аморфного состояния в кристаллическое под действием низкоэнергетических воздействий. <...> Наиболее медленной стадией в устройствах фазовой памяти является переход аморфное → кристаллическое или 0 → 1. <...> Кинетика кристаллизации, как минимум, на порядок более медленная стадия по сравнению со стадией формирования аморфного состояния [4]. <...> Соответственно, процесс кристаллизации определяет в целом достижимую скорость <...>