11–14 УДК 537.226ч621.315.592 ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА CdS МЕТОДОМ АДСОРБЦИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ © 2017 г. М. А. Ризаханов, М. А. Магомедов, А. М. Курбанова* Дагестанская государственная медицинская академия, 367000, Республика Дагестан, Махачкала, пл. <...> Использована адсорбционная спектроскопия объемных и поверхностных электронных центров с Исследована электропроводность полупроводниковых пленок CdS (d ≤ 1 мкм) с полярными граня1 серией состояний, энергия ионизации которых охватывает широкий интервал Et = 0.14–1.21 эВ. <...> Энергетический спектр поверхностных электронных центров адсорбционной природы, в отличие от характерного для CdS спектра квазинепрерывно распределенных объемных центров, носит дискретный характер. <...> Впервые измерена энергия ионизации электронных центров адсорбционной природы в структурах CdS + O2, CdS + N2O, CdS + NO2 в зависимости от полярности граней CdS. <...> Она зависит от химии адсорбата и полярности грани. <...> Ключевые слова: адсорбция, спектроскопия, объемные центры, поверхностные центры, полярные грани DOI: 10.7868/S0002337X17010134 ВВЕДЕНИЕ Адсорбция молекул и атомов – эффективный способ управления электрофизическими свойствами полупроводниковых материалов [1–3]. <...> Электрические свойства пленок СdS, обусловленные адсорбцией молекул (в основном О2), исследованы достаточно широко (см., например, [4–6]). <...> Однако энергетический спектр электронных поверхностных центров, вклад объемных электронных центров в поверхностные явления адсорбционного характера не изучены. <...> В работе [4] допускается, что адсорбция О2 на СdS сопровождается образованием поверхностного центра с дискретным уровнем. <...> В поздних же публикациях (например, [5]) установлено, что за адсорбционные изменения электропроводности ответственны поверхностные электронные центры, распределенные квазинепрерывно по энергии в широком интервале Et = 0.14–1.3 эВ. <...> CdS – полупроводниковый материал электронного типа с ярко выраженными фотоэлектрическими <...>