5–9 РАБОТЫ С КОНФЕРЕНЦИИ УДК 621.382 В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, В. М. Устинов РЕАКТОРЫ ДЛЯ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ НИТРИДА ГАЛЛИЯ: НАСТОЯЩЕЕ И БУДУЩЕЕ Представлен анализ ситуации, сложившейся на рынке оборудования для МОС-гидридной эпитаксии соединений на основе нитрида галлия, и видение проблем и открывающихся возможностей. <...> Кл. сл.: нитриды III группы, МОС-гидридная эпитаксия, технологическое оборудование, LED, HEMT ВВЕДЕНИЕ МОС-гидридная эпитаксия (МОГФЭ) была изобретена Х. <...> Манасевитом в 1968 г. для решения конкретной практической задачи — создания эпитаксиальных структур "арсенид галлия на сапфире" для аэрокосмических применений [1]. <...> Эта технология оказалась хорошо совместима с условиями реального промышленного производства и в настоящее время доминирует в производстве гетероструктур для множества различных применений: многопереходных фотовольтаических преобразователей, светодиодов, лазеров для волоконнооптических линий связи. <...> Она успешно конкурирует с молекулярно-пучковой эпитаксией в производстве гетероструктур для транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) и мощных лазеров на основе соединений III-As и является единственной эпитаксиальной технологией в производстве любых приборов на основе III-N соединений. <...> Соответственно велико значение МОСгидридной эпитаксии и в прикладных научных исследованиях. <...> ПРОБЛЕМЫ Еще с первых лет развития МОГФЭ стала очевидна необычайно высокая зависимость конечных результатов от особенностей конструкции реактора. <...> Технологии, разработанные для одного реактора, с трудом переносятся в реакторы других конструкций, а сами реакторы плохо поддаются масштабированию. <...> Эта проблема в первую очередь вызвана сложными химическими реакциями между исходными соединениями (прекурсорами), происходящими в газовой фазе, еще до достижения ими поверхности подложки. <...> В течение последних 20–25 лет на рынке такого оборудования сложилась <...>