5 15 Контрольупругих напряжений с помощью оптической системы измерения кривизны подложки при росте гетероструктур III−N методом молекулярно-пучковой эпитаксии © Д.С. Золотухин, Д.В. Нечаев, С.В. Иванов, В.Н. Жмерик Физико-технический институт им. <...> А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург E-mail: zolotukhin.beam@mail.ioffe.ru Поступило в Редакцию 28 сентября 2016 г. Описывается оригинальная оптическая система измерений кривизны подложек (ОСИКП), позволяющая с высокой точностью исследовать процессы генерации и релаксации упругих напряжений во время роста гетероструктур (ГС) на основе нитридных соединений III−N методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии (ПА МПЭ). <...> Применение разработанной ОСИКП для анализа роста ГС GaN/AlN/Si(111) позволило не только детально пронаблюдать динамику изменения упругих напряжений в этой структуре при ее металлобогащенном росте низкотемпературной ПА МПЭ, но и разработать конструкцию ГС, исключающую эффект растрескивания слоев за счет контроля величины сжимающих напряжений. <...> 2017.05.44363.16508 При производстве оптоэлектронных приборов и мощных СВЧ-транзисторов на основе широкозонных нитридных соединений третьей группы (III−N) из-за отсутствия коммерчески доступных гомоэпитаксиальных подложек широко используются различные гетероэпитаксиальные подложки (c-Al2O3,6H-SiC, Si(111) идр.) со значительным рассогласованием как постоянных решетки, так и коэффициентов температурного расширения (КТР)[1]. <...> В результате в процессе роста возникают упругие напряжения, пластическая релаксация которых происходит путем генерации прорастающих дислокаций с плотностью до ∼ 1010 cm−2 и/или через растрескивание/деламинацию эпитаксиальных слоев при 60 12 марта Контроль упругих напряжений с помощью оптической системы. <...> Постростовые измерения остаточных упругих напряжений с помощью рентгенодифракционных измерений кривизны подложки [2], исследований спектров фотолюминесценции [3] и других не позволяют исследовать динамику <...>