1 06;07;09 Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора © Н.А. Соболев 1,А.Е.Калядин 1,В.И.Сахаров 1,И.Т.Серенков 1, Е. <...> А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург 2 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого E-mail: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru Поступило в Редакцию 15 июля 2016 г. Установлено, что имплантация ионов фтора с энергией 85 keV и дозой 8.3 · 1014 cm−2 в монокристаллический Si не приводит к формированию аморфного слоя. <...> Последующий отжиг при температуре 1100◦Cвхлорсодержащей атмосфере сопровождается появлением D1- и D2-линий дислокационной люминесценции. <...> Интенсивность обеих линий уменьшается с увеличением времени отжига от 0.25 до 3 h. <...> С увеличением температуры измерения от 80 до 200K интенсивности этих линий уменьшаются, а положения их максимумов сдвигаются в длинноволновую сторону. <...> 2017.01.44084.16420 Перспективным путем для создания кремниевых светоизлучающих структур (СИС) на длину волны ∼ 1600nm для кремниевой оптоэлектроники является использование так называемой дислокационной люминесценции. <...> Это название появилось исторически, поскольку впервые этот вид люминесценции наблюдался 40 лет назад в образцах кремния с большой плотностью дислокаций в работе [1], авторы которой и связали его с рекомбинационным излучением на дислокациях. <...> Анализ полученных данных показал, что сточки зрения совместимости технологий формирования светодиодных (СД) структур с дислокационной люминесценцией и изготовление интегральных схем одним из наиболее перспективных методов является ионная имплантация. <...> Физические основы инженерии дефектов в технологии СД с дислокационной электролюминесценцией были заложены при исследовании 14 12 января Дислокационная фотолюминесценция в кремнии,. <...> 15 кремния, имплантированного редкоземельными ионами Er, Ho и Dy [2]. <...> Однако имплантация тяжелых ионов требует использования специальных высоковольтных (1−2MeV) ускорителей. <...> Поэтому представляет интересизготовлен СИС с помощью имплантации <...>