Прукнал2 *E-mail: evgeny.shevchenko@bk.ru Поступила в редакцию 13.04.2016 г. Проведено осаждение тонких пленок углерода на кремниевую подложку при комнатной температуре с помощью смещенного импульсного магнетронного распыления графита в физическом (Ar, Kr, Xe) ческой прозрачности, поверхностному электрическому сопротивлению RS > 109 Ом/h и развитой наноморфологии поверхности образцов при латеральном размере видимых поверхностных включений от 35 нм. <...> Установлена корреляция между параметрами магнетронного осаждения, ионно-лучевой модифии реактивном (Ar : CH4) режимах при различной плотности мощности распыления: 40−550 Вт/cм2. <...> Для обеспечения ионного ассистирования в процессе осаждения пленок устанавливалось отрицательное смещение подложки с помощью как постоянного, так и импульсного источника питания. <...> Некоторые параметры осаждения приводили к высокой твердости пленок, равной 12.5 ГПа, оптикации и исследованными характеристиками пленок. <...> Различные значения RS в широком диапазоне могут быть получены простой регулировкой параметров и выбором режимов в ходе магнетронного распыления и модифицирующего облучения ионами. <...> Ключевые слова: пленки углерода, осаждение пленок, магнетронное распыление, лучевая литография, ионный отжиг, поверхностное сопротивление, рбмановские спектры, АСМ. <...> DOI: 10.7868/S0207352817030155 ВВЕДЕНИЕ Вакуумно-плазменному осаждению и ионнолучевой литографии тонких пленок различных аллотропных модификаций углерода посвящено множество исследований [1–6], так как эти материалы могут иметь востребованные свойства и отличаться высокой адсорбирующей и автоэмиссионной способностью, твердостью, адгезионной прочностью, биосовместимостью и оптической прозрачностью. <...> Кроме того, для управления свойствами тонких алмазоподобных пленок результативно применяются лучи ионов металлов (Ga+), инертных газов (Ar+, Xe+), а также ионов углерода (С+) при различных дозах 6 Ч Ч1014–1.8 Ч 1016 см–2 и энергиях порядка 20 кэВ [8, 9]. <...> Френцель2 1Северо-Кавказский <...>