Шешин3 1Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия 2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”, 197376, Санкт-Петербург, Россия 3Московский физико-технический институт (ГУ), 141700 Долгопрудный, Московская область, Россия *E-mail: n.v.egorov@spbu.ru Поступила в редакцию 08.05.2016 г. В статье представлен обзор современного состояния автоэмиссионной электроники, дан анализ основных типов автокатодов, результаты которого приведены в виде диаграмм. <...> Особое внимание уделено автокатодам из углеродных материалов, которые, по мнению авторов, являются наиболее перспективным направлением развития автоэмиссионной электроники. <...> Приведены примеры использования автоэмиссионных катодов в современных электронных устройствах. <...> Ключевые слова: автоэлектронная эмиссия, автоэмиссионная электроника, вакуумная микро- и наноэлектроника, углеродные материалы, углеродные наноструктуры. <...> DOI: 10.7868/S0207352817030088 ВВЕДЕНИЕ Автоэлектронная эмиссия является наиболее экономичным видом эмиссии свободных электронов, что дает возможность создания новых поколений эффективных электронных приборов с повышенными техническими и потребительскими свойствами [1]. <...> ПРИНЦИПЫ АВТОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ Суть явления автоэлектронной эмиссии состоит в туннелировании электронов сквозь потенциальный барьер на поверхности твердого тела. <...> Таким образом, автоэлектронная эмиссия обусловлена волновыми свойствами электронов [2]. <...> 5 Туннелирование электронов становится возможным за счет искривления потенциального барьера при приложении внешнего электрического поля достаточно большой величины (рис. <...> Обычная пороговая величина электрического поля для появления заметной автоэмиссии составляет ~108 В/м. <...> Такая напряженность электрического поля при приемлемых рабочих напряжениях (0.1–10 кВ) может достигаться в основном уменьшением радиуса закругления вершин эмитирующих поверхностей, которые должны <...>