Якимов1, * 1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Московская область, Россия 2Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская область, Россия *Е-mail: yakimov@iptm.ru Поступила в редакцию 21.01.2016 г. Методами катодолюминесценции и наведенного тока исследованы дефекты упаковки в кристаллах 4H-SiC, введенные в процессе индентирования при температуре 600°С. <...> Тип дефектов определялся в результате измерения спектра катодолюминесценции. <...> Показано, что двойные дефекты упаковки расширяются даже при очень низких механических напряжениях, для расширения одиночных дефектов необходимы более высокие напряжения. <...> Такое поведение объясняется различием в энергии дефектов и в электронной компоненте эффективной силы, обусловленной захватом электронов в квантовые ямы, связанные с дефектами упаковки. <...> DOI: 10.7868/S0207352816110147 ВВЕДЕНИЕ Энергия дефекта упаковки в кристаллах 4H-SiC характеризуется сравнительно низкими значениями, вследствие чего такие дефекты часто встречаются в этих кристаллах. <...> Именно они определяют деградацию мощных силовых приборов, поскольку образуются даже при достаточно низких температурах в условиях интенсивной инжекции носителей заряда [1–3]. <...> Было показано, что в этих условиях вводятся одиночные дефекты упаковки Шокли (1SSF − Single Shockley-type Stacking Faults). <...> Их расширение происходит за счет рекомбинационно-ускоренного скольжения частичных дислокаций. <...> Движущая сила расширения дефектов возникает за счет выигрыша в энергии при захвате электронов дефектами упаковки [3, 4], поскольку, как показали расчеты [5, 6], дефекты упаковки в кристаллах 4H-SiC могут рассматриваться как двумерные включения кубической фазы 3C-SiC, т.е. как гетерополитипные квантовые ямы. <...> В [7–10] было показано, что дефекты упаковки в кристаллах 4H-SiC можно вводить в процессе низкотемпературной пластической деформации при температурах 450−700°С. <...> Однако при этом в основном вводятся двойные дефекты <...>