36–39 УДК 548.732 ФОРМИРОВАНИЕ МАССИВОВ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОСТРОВКОВ Si С МАЛОЙ УГЛОВОЙ ДИСПЕРСИЕЙ © 2017 г. А. С. Маркелов*, В. Н. Трушин, Е. В. Чупрунов, В. В. Грибко, В. Е. Котомина, И. Н. Антонов , Л. П. Веселова Нижегородский государственный университет им. <...> Н.И. Лобачевского, 603950, Нижний Новгород, Россия *E-mail: alm.nnov@gmail.com Поступила в редакцию 17.06.2016 г. В работе исследуется возможность формирования массивов монокристаллических островков с малой угловой дисперсией с целью использования их в качестве активных сред при решении задач управления параметрами рентгеновских пучков. <...> На примере трехслойной структуры подложка– клей–монокристаллическая пластина экспериментально показана возможность управления профилем дифракционных элементов путем изменения ее температуры. <...> Выявлено, что основной причиной разориентации островков является усадка клея при его отвердевании. <...> Вторая причина разориентации островков – размягчение клея, возникающего в процессе плазмохимического травления пластины. <...> Указанные причины устраняются изменением температуры приклеивания пластины к поверхности подложки, а также использованием неразмягчающего клея. <...> Температура приклеивания монокристаллической пластины на подложку рассчитывается из значений коэффициентов усадки клея и коэффициентов теплового расширения, составляющих структуру. <...> Ключевые слова: монокристаллические островки кремния, угловая дисперсия, управление параметрами, рентгеновский пучок. <...> DOI: 10.7868/S020735281702010X ВВЕДЕНИЕ При формировании массивов монокристаллических островков возникает ряд проблем, к числу которых относится их разориентация, в результате которой полуширина кривой качания от полученного массива увеличивается, что осложняет задачу управления параметрами рентгеновского пучка путем локального изменения их дифракционных параметров [1]. <...> Целью данной работы было показать возможность управления угловой дисперсией монокристаллических островков <...>