130–136 ПОВЕРХНОСТЬ, ТОНКИЕ ПЛЕНКИ УДК 539.234 ПРОЦЕССЫ ГАЗОФАЗНОЙ КЛАСТЕРИЗАЦИИ ПРИ МАГНЕТРОННОМ РАСПЫЛЕНИИ ЦИНКА © 2017 г. А. <...> А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, Москва 5Московский государственный областной университет E-mail: abil-as@list.ru Поступила в редакцию 19.05.2016 г. Исследованы процессы газофазной кластеризации паров цинка при магнетронном распылении на постоянном токе в среде аргона цинковой мишени. <...> Изучено влияние давления рабочего газа и тока магнетронного разряда на морфологию и структуру осадков, образовавшихся на предварительно охлажденных до –50°С подложках. <...> Показано, что при относительно низких давлениях аргона в камере (P = 0.5 Па) и малых токах разряда (100 мА) формируются плотные текстурированные слои (002)Zn со столбчатой структурой. <...> При предельно большом давлении аргона в камере (P = 5 Па) на подложках появляются рентгеноаморфные осадки, имеющие фрактальную коралловидную структуру. <...> Увеличение тока магнетронного разряда при давлении рабочего газа 5 Па приводит к формированию на подложках поликристаллических слоев, причем интенсивность рефлексов, соответствующих кристаллическому цинку, растет с ростом разрядного тока. <...> Рассмотрены возможные механизмы трансформации структуры осадков Zn. <...> Эти процессы включают в себя как газофазное формирование кластеров путем диффузионно-лимитированной агрегации, так и последующее формирование покрытий при кластеркластерной агрегации [1, 2]. <...> Анализу газофазных процессов, происходящих в плазме магнетронного разряда, во взаимосвязи с процессами формирования на подложках массивов неупорядоченных структур посвящен ряд обзоров (например, [3]). <...> Массивы неупорядоченных структур с аномально развитой поверхностью представляют и значительный практический интерес, связанный с формированием на их основе проводящих слоев для “прозрачной’ электроники [4, 5], а также активных слоев красителей в преобразователях солнечной энергии [6] и газовых сенсоров <...>