77–85 РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ УДК 539.25:[548.55+548.4] ВЛИЯНИЕ ПОТОКА МЫШЬЯКА НА СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА GaAs ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ ЭПИТАКСИАЛЬНОМ РОСТЕ НА ПОДЛОЖКАХ GaAs С ОРИЕНТАЦИЕЙ (100) И (111)A © 2017 г. Г. <...> А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, Москва 3Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, Москва E-mail: s_s_e_r_p@mail.ru Поступила в редакцию 03.11.2015 г. Исследовано влияние потока мышьяка в камере роста на кристаллическую структуру GaAs, выращенного молекулярно-лучевой эпитаксией при температуре 240°С на подложках GaAs c ориентацией (100) и (111)А. <...> Пленки GaAs были нелегированные, однородно легированные кремнием либо содержали три эквидистантно расположенных δ-слоя кремния. <...> После отжига образцов методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано их структурное совершенство. <...> Впервые обнаружено, что δ-слои кремния в “низкотемпературном” GaAs служат центрами образования преципитатов мышьяка. <...> Исследована зависимость структурного совершенства пленок от γ. <...> Выявлено, что во всем указанном диапазоне γ пленки GaAs на подложках (111)А обладают более высокой дефектностью и становятся поликристаллическими, начиная с толщины 150–200 нм. <...> DOI: 10.7868/S0023476117010076 ВВЕДЕНИЕ В течение последних двух десятилетий не ослабевает интерес к выращиванию тонких пленок A3B5 методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) при низких температурах [1, 2]. <...> Эпитаксиальные слои, выращенные при температурах Tg = 150–350°С, обладают уникальными свойствами, которые в совокупности позволяют использовать так называемый низкотемпературный GaAs (low-temperature GaAs, LT-GaAs) в качестве материала для фотопроводящих антенн, генерирующих и детектирующих терагерцевое электромагнитное излучение. <...> Такие свойства LT-GaAs связаны с наличием в его кристаллической структуре избыточных атомов мышьяка. <...> Избыток As в LT-GaAs может достигать 1.5 ат. % и зависит от таких технологических условий роста, как температура подложки Tg и отношение молекулярных потоков <...>