Созаев2, 1Федеральное государственное образовательное учреждение высшего образования “Кабардино-Балкарский государственный университет имени Х.М. Бербекова”, Нальчик 2Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования “Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет)”, Владикавказ *E-mail: koumykov@hotmail.com **E-mail: sozaeff@mail.ru Дан обзор литературных данных поверхностного натяжения меди σт в твердой фазе. <...> Приведены данные σт, полученные различными авторами методом нулевой ползучести. <...> Наиболее достоверным является значение σт, полученное компенсационным методом нулевой ползучести в вакууме. <...> DOI: 10.7868/S0367676517030231 В связи с разработкой новых технологий микро- и наноэлектроники все больший интерес привлекает к себе медь, которая, обладая существенно меньшим по сравнению с алюминием удельным сопротивлением, значительно увеличивает производительность микропроцессоров c уменьшением паразитных емкостей и энергопотребления электронных схем. <...> Особенно перспективно объединение технологии “кремний на изоляторе” с медными межсоединениями на полупроводниковых кристаллах [1], и, что важно, применение меди позволяет отказаться от ряда операций, снижающих выход годных изделий, в частности – от химико-механической полировки вольфрама. <...> Цель настоящей работы – систематизация литературных данных σт меди в твердой фазе, их анализ и установление причин расхождения экспериментальных значений поверхностного натяжения меди, полученных разными авторами, а также источников ошибок при проведении измерений. <...> Первые данные σт меди, измеренные методом нулевой ползучести на поликристаллических проволочных образцах, были опубликованы в 1949 году Удиным с соавторами [6]. <...> Несмотря на невысокую чистоту меди (содержание основного компонента – 99.9 вес. %), эти данные продолжительное время считали достаточно надежными <...>