Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635051)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Известия Российской академии наук. Серия физическая  / №3 2017

ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ДВУМЕРНОЙ СИСТЕМЕ ДИПОЛЯРНЫХ ЭКСИТОНОВ В ДВУХЪЯМНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ SiGe/Si (200,00 руб.)

0   0
Первый авторАкмаев
АвторыСибельдин Н.Н., Ушаков В.В., Новиков А.В., Лобанов Д.Н.
Страниц4
ID592607
АннотацияВ двумерных слоях гетероструктуры (buffer Si1 –уGeу)/tSi/sSi1 –xGex/tSi/(cap Si1 –уGeу) II рода методом спектроскопии фотолюминесценции при гелиевых температурах и высоких уровнях возбуждения исследован переход от диполярной к пространственно прямой электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ), происходящий при уменьшении толщины барьерного для электронов слоя sSi1 –xGex (квантовой ямы (КЯ) для дырок), разделяющего электронные КЯ (слои tSi). Определены основные характеристики ЭДЖ обоих типов. Определено время жизни диполярных экситонов
УДК539.293+539.55
ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ДВУМЕРНОЙ СИСТЕМЕ ДИПОЛЯРНЫХ ЭКСИТОНОВ В ДВУХЪЯМНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ SiGe/Si / М.А. Акмаев [и др.] // Известия Российской академии наук. Серия физическая .— 2017 .— №3 .— С. 88-91 .— URL: https://rucont.ru/efd/592607 (дата обращения: 05.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

370–373 УДК 539.293+539.55 ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ДВУМЕРНОЙ СИСТЕМЕ ДИПОЛЯРНЫХ ЭКСИТОНОВ В ДВУХЪЯМНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ SiGe/Si © 2017 г. Т. <...> Лобанов2 1Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт имени П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва 2Институт физики микроструктур РАН – филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки “Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук”, Нижний Новгород *E-mail: burbaev@sci.lebedev.ru В двумерных слоях гетероструктуры (buffer Si1 –уGeу)/tSi/sSi1 –xGex/tSi/(cap Si1 –уGeу) II рода методом спектроскопии фотолюминесценции при гелиевых температурах и высоких уровнях возбуждения исследован переход от диполярной к пространственно прямой электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ), происходящий при уменьшении толщины барьерного для электронов слоя sSi1 –xGex (квантовой ямы (КЯ) для дырок), разделяющего электронные КЯ (слои tSi). <...> DOI: 10.7868/S036767651703005X ВВЕДЕНИЕ За последние 20 лет были получены значительные достижения в физике конденсированного состояния вещества в исследовании многочастичных взаимодействий в низкоразмерных экситонных и электронно-дырочных системах (ЭДС) высокой плотности. <...> Исследования были проведены в основном в контравариантных (I рода) гетероструктурах GaAs/AlGaAs с двойными или широкими одиночными квантовыми ямами (КЯ) для электронов и дырок. <...> Основным методом исследования был метод спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ). <...> При фотовозбуждении при низкой температуре возникала система неравновесных пространственно непрямых (диполярных) экситонов, в которой были обнаружены различные фазы конденсированного состояния, – диполярная электронно-дырочная жидкость (ЭДЖ) [1], бозе-эйнштейновское конденсированное состояние (БЭК) [2–5]. <...> Показано, что эти фазы должны обладать многообещающими свойствами, такими как сверхпроводимость и сверхтекучесть (в теоретических работах по ЭДЖ и БЭК), крупномасштабная когерентность <...>