302–304 УДК 537.622;544.015.4;548.5 РЕЗИСТИВНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ДИОДНЫЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК Nd2– xCexCuO4– y *, А. <...> Божко1 1Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка 2Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, Москва *E-mail: tulina@issp.ac.ru Обратимые и устойчивые бистабильные резистивные переключения наблюдались в переходах планарного типа Nd2– xCexCuO4– y/Nd2– xCexO1.75/Ag на основе сверхпроводящих пленок Nd2– xCexCuO4– y. <...> Исследование электронной структуры поверхности Nd0.5Ce0.5O1.75/Nd2– xCexCuo4– y методами РФЭС-спектроскопии высокого разрешения и атомно силовой микроскопии АСМ показали, что ключевым фактором для переключений является наличие эпитаксиально проросшей на поверхности Nd2– xCexCuO4– y дефицитной по кислороду фазы Nd2– xCexO1.75. <...> Многочисленные исследования резистивных переключений в оксидных соединениях показывают перспективность их применения как кандидатов на новую электронную память в вычислительных технологиях [1–5]. <...> Биполярный эффект резистивных переключений (БЕРП), наблюденный в гетероструктурах на основе оксидных соединений, в том числе на основе сильно коррелированных электронных систем (СКЭС), таких как ВТСП [4], оказался своеобразным методом, чувствительным к типу носителей СКЭС. <...> БЕРП проявляется в том, что в гетероконтактах СКЭС/нормальный металл при определенной полярности электрического поля происходит изменение фазового состава поверхностного слоя СКЭС на уровне наноразмеров. <...> В результате реализуются метастабильные высокорезистивные (Off) и низкорезистивные (On) состояния гетероконтакта, возникает колоссальное электросопротивление (КЭС) [4]. <...> Колоссальное электросопротивление – это отношение сопротивления в выключенном состоянии (Off) к сопротивлению во включенном состоянии (On), оно характеризует эффект памяти. <...> Последние исследования БЕРП в различных соединениях <...>