Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635051)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Известия Российской академии наук. Серия физическая  / №3 2017

ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ ХРОМА И ТЕЛЛУРА НА ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГАЛЕНИТА (200,00 руб.)

0   0
Первый авторСиницин
АвторыУланов В.А.
Страниц4
ID592586
АннотацияВ диапазоне 300–800 K исследованы концентрационные зависимости коэффициента Зеебека, удельного сопротивления и теплопроводности термоэлектрических кристаллов PbS с примесями хрома (0 < x ≤ 0.01) и теллура (0 < y ≤ 0.03). Установлено, что хром в кристалле PbCrxS1–x увеличивает число свободных электронов, но уменьшает величину коэффициента Зеебека. Однако с ростом концентрации теллура в сплавах PbCrxS1 –x–yTey происходит увеличение коэффициента Зеебека с одновременным понижением теплопроводности. В результате термоэлектрическая добротность кристалла PbCrxS1 –x–yTey повышается. Причины наблюдаемых эффектов обсуждаются
УДК534.2
Синицин, А.М. ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ ХРОМА И ТЕЛЛУРА НА ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГАЛЕНИТА / А.М. Синицин, В.А. Уланов // Известия Российской академии наук. Серия физическая .— 2017 .— №3 .— С. 10-13 .— URL: https://rucont.ru/efd/592586 (дата обращения: 05.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

292–295 УДК 534.2 ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ ХРОМА И ТЕЛЛУРА НА ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГАЛЕНИТА © 2017 г. В. А. Голенищев-Кутузов, А. М. Синицин, В. А. Уланов* Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования “Казанский государственный энергетический университет”, Казань *Е-mail: ulvlad@inbox.ru В диапазоне 300–800 K исследованы концентрационные зависимости коэффициента Зеебека, удельного сопротивления и теплопроводности термоэлектрических кристаллов PbS с примесями хрома (0 < x ≤ 0.01) и теллура (0 < y ≤ 0.03). <...> Установлено, что хром в кристалле PbCrxS1– x увеличивает число свободных электронов, но уменьшает величину коэффициента Зеебека. <...> Однако с ростом концентрации теллура в сплавах PbCrxS1 –x –yTey происходит увеличение коэффициента Зеебека с одновременным понижением теплопроводности. <...> В результате термоэлектрическая добротность кристалла PbCrxS1 –x –yTey повышается. <...> DOI: 10.7868/S0367676517030127 Галенит (PbS) относится к группе халькогенидов свинца, PbS, PbTe и PbSe, являющихся узкощелевыми прямозонными полупроводниками. <...> Твердые растворы этих соединений считаются перспективными материалами для термоэлектрических преобразователей, используемых для преобразования тепловой энергии в электрическую и наоборот. <...> Эффективность термоэлектрических преобразователей энергии прежде всего определяется термоэлектрической добротностью используемых материалов: ZT ρ ,S T = κ 2 (1) где S – коэффициент Зеебека, ρ – удельное сопротивление материала, κ – удельная теплопроводность, Т – абсолютная температура. <...> У широко используемых в настоящее время материалов (где базовыми соединениями являются Bi2Te3, PbTe и сплавы кремния с германием) безразмерная величина ZT достигает значений 0.7–1.2. <...> Поскольку этих значений недостаточно для высокоэффективного преобразования, ищутся новые материалы или пути повышения ZT уже известных материалов. <...> Повышение ZT любого термоэлектрического материала в принципе возможно <...>