А. Ф. Иоффе Российской академии наук 194021, Санкт-Петербург, Россия Поступила в редакцию 10 августа 2016 г. Выполнен последовательный теоретический анализ различных факторов, которые могут приводить к влиянию температуры и внешнего магнитного поля на характер беспорядка в полупроводниковых структурах. <...> Основное внимание уделено структурам квантовых ям, в которых легированы или только ямы, или и ямы, и барьеры, причем степень легирования предполагается близкой к переходу металл–диэлектрик. <...> Среди указанных факторов: а) ионизация локализованных состояний в область делокализованных состояний над краем подвижности, наличие которого предполагается в примесной зоне; б) сосуществование верхней и нижней зон Хаббарда (при легировании как ям, так и барьеров); при этом, в частности, внешнее магнитное поле влияет на относительный вклад верхней зоны Хаббарда за счет спиновых корреляций на двукратно заполненных узлах; в) вклад обменного взаимодействия в парах узлов, при котором внешнее магнитное поле может влиять на соотношение между ферромагнитными и антиферромагнитными конфигурациями. <...> Все эти факторы, влияя на структуру и силу беспорядка, приводят как к особенностям температурной зависимости сопротивления, так и к специфическим особенностям магнитосопротивления. <...> ВВЕДЕНИЕ Хорошо известно, что главным источником сопротивления проводников на обеих сторонах перехода металл–диэлектрик является беспорядок того или иного типа (статический — примеси, динамический — фононы). <...> В то же время степень статического беспорядка обычно рассматривается как некоторое свойство самого материала, не зависящее от внешних воздействий, как, например, температура или магнитное поле. <...> Однако оно не столь очевидно для полупроводниковых структур, где главным источником статического беспорядка служат заряженные дефекты, допускающие различные зарядовые состояния. <...> Кроме того, если примесный центр допускает двукратное <...>