3 Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe © Г.П. Пархоменко, М.Н. Солован, А.И. Мостовой, К.С. Ульяницкий, П.Д. Марьянчук Черновицкий национальный университет им. <...> Юрия Федьковича, 58012 Черновцы, Украина E-mail: h.parkhomenko@chnu.edu.ua Получена 28 июня 2016 г. Принята к печати 20 июля 2016 г. Изготовлены гетероструктуры NiO/CdTe методом реактивного магнетронного распыления. <...> Установлено, что основными механизмами токопереноса через гетеропереход NiO/CdTe при прямых смещениях является генерационнорекомбинационный и туннельный, а при обратных — туннельный. <...> Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода Voc = 0.26В и ток короткого замыкания Isc = 58.7мкА/см2 при интенсивности освещения 80мВт/см2. <...> Оксид никеля (NiO) является прозрачным проводящим оксидом, имеющим проводимость p-типа, обладает хорошими электрическими, термоэлектрическими характеристиками и высокой химической стойкостью [3–6]. <...> Гетеропереходы, в которых одним из компонентов является CdTe, перспективны для создания различного типа детекторов излучения и солнечных элементов. <...> Это обусловлено тем, что ширина запрещенной зоны CdTe оказывается оптимальной для преобразования солнечной энергии в электрическую, высокая радиационная стойкость позволяет использовать приборы в условиях повышенной радиации [7,8]. <...> Кристаллы CdTe, обладающие p-типом проводимости [9,10], получили широкое применение, однако существует ряд проблем по созданию омических контактов к этим кристаллам. <...> Преимуществом n-CdTe является простота формирования омических контактов. <...> Благодаря своим физическим свойствам NiO и CdTe являются довольно перспективными полупроводниковыми материалами для использования в различных фотоэлектрических приборах. <...> Поэтому целью данной работы было создание гетероструктур p-NiO/n-CdTe, исследование их электрических и фотоэлектрических свойств, а также установление доминирующих механизмов токопереноса при прямом и обратном смещениях. <...>