3 Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова © А. <...> Блошкин1,2,А.И.Якимов 1,3,В.А.Тимофеев 1,А.Р.Туктамышев 1, А.И. Никифоров 1,3,В.В.Мурашов 4 1 Институт физики полупроводников им. <...> Установлено, что энергия связи дырки растет с увеличением содержания олова. <...> В рамках 6-зонного kp-метода определены энергии размерного квантования дырок Методом спектроскопии адмиттанса исследованы состояния дырок в квантовых ямах Si0.7−yGe0.3Sny /Si в в структурах, содержащих псевдоморфный слой Si0.7−yGe0.3Sny в матрице Si. <...> Комбинацией результатов математического моделирования и экспериментальных данных определена величина разрыва валентной зоны на гетерогранице Si/Si0.7−yGe0.3Sny . <...> Установлено, что зависимость экспериментальных значений разрыва валентных зон между псевдоморфными слоями Si0.7−yGe0.3Sny иSi от содержания олова описывается выражением Eexp V =(0.21±0.01)+(3.35±7.8 · 10−4)y эВ. <...> В разные годы предлагалось рассматривать гетероструктуры GeSi с квантовыми точками (КТ)[1–4]. <...> В качестве альтернативного пути рассматривается использование тройного соединения SiGeSn на подложках Si. <...> Для сплава GeSn предсказывалась теоретически [5,6] и наблюдалась экспериментально [7–9] смена характера фундаментального поглощения с непрямозонного на прямозонный при малых содержаниях олова. <...> Полученные результаты 342 дают надежду на реализацию светоизлучающих приборов на кремниевой подложке с тройным соединением SiGeSn в качестве активного элемента. <...> Кроме того, поскольку α-Sn является полупроводником с инвертированной зонной структурой, вариация содержания олова в сплавах дает значительно больший диапазон ширин запрещенной зоны, которые могут быть использованы в приборах на основе твердых растворов SiGeSn, по сравнению с приборами на SiGe. <...> Существуют теоретические работы, посвященные моделированию зонной структуры как напряженных, так и релаксированных [5,6] тройных соединений. <...> Однако в большинстве таких работ рассматривается лишь вопрос о ширине <...>