3 Влияние имплантации H+ на оптические свойства кристаллов полуизолирующего арсенида галлия вИК-области спектра © Н. <...> И Липтуга2,В.Н.Дикуша 2,А.П. Оксанич 3, М.Г. Когдась 3,А.Л.Перехрест 3, С.Э. Притчин 3 1 Институт физики, Цзилинский университет, 130012 Чанчунь, КНР 2 Институт физики полупроводников им. <...> Михаила Остроградского, 03028 Кременчуг, Украина E-mail: lvb@isp.kiev.ua Получена 12 апреля 2016 г. Принята к печати 20 апреля 2016 г. Исследованы оптические свойства кристаллов полуизолирующего арсенида галлия (АГЧП),подвергнутого мультиэнергетической имплантации ионов водорода и обработке в высокочастотном электромагнитном поле, в инфракрасной области спектра. <...> Установлено, что такая комбинированная обработка позволяет существенно повысить пропускание кристалла АГЧП до величин, характерных для кристаллов хорошего оптического качества. <...> На основе анализа результатов исследования пропускания и отражения АГЧП в инфракрасной области спектра, спектров комбинационного рассеяния света, морфологии поверхности методом атомно-силовой микроскопии предложена физическая модель, объясняющая наблюдаемые эффекты. <...> Модель учитывает взаимодействие радиационных дефектов с исходными дефектами структуры АГЧП, а также эффект компенсации дефектных центров водородом в процессе высокочастотной обработки. <...> Введение В технологии производства электронных и оптоэлектронных приборов наряду с ионной имплантацией легирующих примесей достаточно широко применяется и имплантация изовалентных примесей, инертных газов и водорода [1,2]. <...> Это в равной степени относится ко всем наиболее распространенным полупроводниковым материалам, как к моноатомным (Ge и Si),так и бинарным (GaAs, InP, GaN и др.) <...> . Что касается имплантации ионов водорода (протонов),тоона может использоваться как для целенаправленного введения дефектов (в основном точечных) при небольших дозах имплантации, так и в так называемой Smart-Cut технологии для создания полупроводниковых структур <...>