2 Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs © А. <...> Закгейм1,Н.Д. Ильинская 2, С.А. Карандашев 2,А.А.Лавров 3,Б.А.Матвеев 2, М.А. Ременный 2,Н.М. Стусь 2,А.А.Усикова 2,А.Е.Черняков 1 1 НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия 2 Физико-технический институт им. <...> А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия 3ООО ”ИоффеЛЕД“, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: ioffeled@mail.ru Получена 26 июля 2016 г. Принята к печати 1 августа 2016 г. Проведены измерения и анализ пространственного распределения равновесного и неравновесного (в том числе люминесцентного) излучения в средневолновых ИК флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs (λmax = 3.4мкм) с учетом конструктивных особенностей фотодиодов, включая отражательные свойства омических контактов. <...> Сделана оценка увеличения оптической площади сбора фотонов за счет лучей, испытывающих многократные отражения внутри полупроводниковых чипов с различающимися геометрическими характеристиками. <...> 2017.02.44117.8380 ных электронно-дырочных пар предшествуют, как правило, процессы отражения и преломления потоков неравновесного излучения при его вхождении в полупроводник. <...> Однако применительно к фотодиодам (ФД) на основе структур с гетеропереходом InAsSbP/InAs, используемым в пирометрии [1,2], газовом анализе [3] и в качестве термоэлектрических преобразователей [4], указанные исследования были крайне ограниченными и не охватывали многих аспектов указанного вопроса. <...> Так, например, оценка отражательных свойств омических контактов к слоям InAsSbP с дырочным типом проводимости (анодов) вблизи максимума спектральной фоточувствительности проводилась лишь однажды [5], а пространственная неоднородность фоточувствительности, обусловленная вхождением фотонов в кристалл вдали от анода ограниченной площади, рассматривалась лишь для ФД, освещаемых со стороны слоя p-типа (англ. <...> В таких <...>