2 Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями © Ю.С. Полубавкина 1,Ф.И.Зубов 1,2, Э.И. Моисеев 1,Н.В. Крыжановская 1,2,М.В. Максимов 1,2, Е.С. Семенова 3,K. <...> Lyngby, DK-2800, Denmark 4 Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia 24061, USA E-mail: polubavkina@mail.ru Получена 28 июня 2016 г. Принята к печати 3 июля 2016 г. Методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии исследовано пространственное распределение интенсивности излучения, возникающего при больших уровнях накачки (до 30 кА/см2) вследствие рекомбинации в волноводном слое лазерной структуры GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерными слоями GaInP и AlGaInAs. <...> Обнаружено, что в таком лазере волноводная люминесценция, в целом менее интенсивная по сравнению с наблюдаемой в аналогичном лазере без асимметричных барьеров, распределена в волноводе неравномерно — максимум распределения сдвинут к p-эмиттеру. <...> Это может быть объяснено способностью барьера GaInP, примыкающего к квантовой яме со стороны n-эмиттера, подавлять транспорт дырок. <...> Введение Выброс носителей заряда из активной области полупроводникового лазера в барьерные (волноводные) слои при больших токах накачки и/или повышенных температурах [1,2] является одной из причин, ограничивающих характеристики мощных лазерных диодов. <...> Частично преодолеть проблемы, связанные с заполнением лазерного волновода носителями заряда, позволяет использование асимметричных барьерных слоев (АБС)[3]. <...> В [4] было установлено снижение внутренних потерь и повышение температурной стабильности в лазерах на структурах GaAs/AlGaAs с АБС, а в [5] было показано, что использование АБС приводит к подавлению нелинейности ватт-амперной характеристики (ВтАХ) и, таким образом, к снижению рабочего тока. <...> В [5] также было показано, что лазерные структуры с АБС характеризуются при повышенных температурах заметным снижением интенсивности волноводной люминесценции по сравнению с аналогичными гетероструктурами без АБС. <...> В тоже время <...>