2 МПМ детектор видимого диапазона длин волн на сверхрешетке ZnSe/ZnTe второго типа © П.И. Кузнецов, С.В. Аверин, В.А. Житов, Л.Ю. Захаров, В.М. Котов Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. <...> В.А. Котельникова Российской академии наук, 141190 Фрязино, Московская область, Россия E-mail: pik218@ire216.msk.su, sva278@ire216.msk.su Получена 9 июня 2016 г. Принята к печати 23 июня 2016 г. На основе сверхешетки ZnSe/ZnTe второго типа создан и исследован МПМ фотодетектор. <...> Детектор обладает низкими темновыми токами и высокой чувствительностью. <...> Спектральная характеристика детектора показывает возможность селективного детектирования трех отдельных участков спектра видимого и ближнего инфракрасного излучения. <...> Введение В последние годы возрастает интерес исследователей, инженеров, технологов к периодическим структурам, состоящим из различных полупроводниковых материалов, — полупроводниковым сверхрешеткам. <...> Композиционные сверхрешетки второго типа позволяют реализовать новые возможности при создании ряда оптоэлектронных устройств, в частности фотодетекторов [1–6]. <...> Ступенчатая структура зон дает возможность детектировать оптическое излучение с энергией фотона много меньше ширины запрещенной зоны каждого из полупроводников, формирующих сверхрешетку [3]. <...> Уже созданы фотодетекторы среднего и длинноволнового участка спектра инфракрасного излучения на сверхрешетках второго типа InAs/GaSb, рабочая длина волны которых может меняться в определенном интервале за счет изменения толщины одного или двух слоев сверхрешетки [6]. <...> В фотодиодных структурах на основе сверхрешеток второго типа также можно ожидать существенного снижения темнового тока и увеличения чувствительности [7]. <...> Однако практическое использование гетероструктур второго рода до сих пор лимитируется недостаточным пониманием их фундаментальных свойств и ограниченным числом экспериментально исследованных систем. <...> В настоящей работе мы впервые приводим результаты <...>