2 Влияние баллистической утечки на температурнуюзависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN © И.А. Прудаев, В.В. Копьев, И.С. Романов, В.Л. Олейник Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия E-mail: funcelab@gmail.com Получена 29 марта 2016 г. Принята к печати 7 апреля 2016 г. В работе исследованы зависимости квантового выхода от температуры и уровня возбуждения для светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN. <...> Сравнение результатов, полученных при фото- и электролюминесценции, показало, что в области высокой плотности тока наблюдаются дополнительные низкотемпературные потери (дополнительные к потерям, связанным с оже-рекомбинацией). <...> В результате анализа установлено, что потери связаны с утечкой электронов из активной области светодиода. <...> Для объяснения экспериментальных данных привлечена модель баллистической утечки. <...> Введение Температурная зависимость внешнего и внутреннего квантового выхода (КВ) светодиодов на основе множественных квантовых ям (МКЯ) InGaN/GaN ранее исследовалась в ряде работ, например [1–16]. <...> Наиболее часто для исследования используются два метода: фотолюминесценция (ФЛ) и электролюминесценция (ЭЛ). <...> Режим фотолюминесценции удобен тем, что позволяет частично, а в некоторых случаях и полностью исключить утечку носителей заряда из квантовых ям (КЯ). <...> Так, например, в области криогенных температур, когда утечка носителей происходит по туннельному механизму, время жизни оказывается много меньше времени туннелирования [17], что позволяет сделать вывод о полном отсутствии утечки носителей в режиме ФЛ. <...> При более высоких температурах роль утечки может быть выражена сильнее, если не выполняются стационарные условия возбуждения [18]. <...> Тем не менее утечка носителей при ФЛ имеет меньшее значение, так как в данном режиме протекает биполярная генерация носителей, в отличие от электролюминесценции, когда активная область содержит большее количество <...>