2 Новый механизм поляризации полупроводника на интерфейсе с органическим диэлектриком © A.M. <...> Михайловский2 1 Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия 2 Междисциплинарный ресурсный центр ”Нанотехнологии“ СПбГУ, 198504 Санкт-Петербург, Петродворец, Россия E-mail: yafyasov@gmail.com Получена 19 мая 2016 г. Принята к печати 31 мая 2016 г. Создана система полупроводник-органический диэлектрик с пространственно распределенным зарядом, обладающая уникально низкой плотностью быстрых поверхностных состояний (Nss ) на интерфейсе. <...> На примере n-Ge реализована система с Nss ≈ 5 · 1010 см−2 и проведено исследование физических характеристик такой системы с жидкостным и металлическим полевыми электродами. <...> В системе с органическим диэлектриком впервые реализован диапазон изменения поверхностного потенциала от обогащения области пространственного заряда полупроводника основными носителями заряда до состояния инверсии без изменения механизма взаимодействия адсорбированного слоя с поверхностью полупроводника. <...> Обнаружен эффект усиления поляризации области пространственного заряда полупроводника вследствие изменения пространственной структуры подвижного заряда в органическом диэлектрическом слое. <...> На основе разработанной системы открываются технологические возможности для формирования новой генерации электронных приборов на органических плeночных структурах и экспериментального моделирования электронных свойств биологических мембран. <...> 2017.02.44105.8331 Изучение процессов в сложных [1] зарядовых системах, возникающих на межфазной границе полупроводника в результате адсорбции [2], является актуальной задачей физики наносистем. <...> В этой связи особый интерес направлен на изучение свойств систем со слоем адсорбированных органических молекул [3],что обусловлено ключевой ролью сложных зарядовых процессов в этих слоях [4] при формировании параметров интерфейса в целом. <...> Результаты этих исследований <...>