1 Эпитаксиальные твердые растворы AlxGa1−xAs:Mg с различным типом проводимости © П.В. Середин 1,А. <...> А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия 3 Instituto de Ciencias, Benem´ erita Universidad Aut ´ 4 Karlsruhe Nano Micro Facility, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany E-mail: paul@phys.vsu.ru, arsentyev@mail.ioffe.ru, prutskiy@yahoo.com Получена 2 июня 2016 г. Принята к печати 14 июня 2016 г. На основе методов высокоразрешающей рентгеновской дифракции, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии исследованы структурные, оптические и энергетические свойства эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1−xAs:Mg/GaAs(100) с различной степенью легирования магнием. <...> Показано, что подбором технологических условий в твердом растворе AlxGa1−xAs :Mg может быть достигнут не только различный тип проводимости, но и существенно различная концентрация носителей заряда в эпитаксиальной пленке. <...> Введение Прогресс в производстве полупроводниковых наногетероструктур обусловлен потребностью высокотехнологичных производств в оптоэлектронных компонентах с новыми функциональными характеристиками. <...> Поэтому огромное количество работ в области физики и технологии полупроводниковых гетероструктур посвящено методам их формирования с использованием средств молекулярно-лучевой и МОС-гидридной эпитаксии [1,2]. <...> Не менее значимыми являются работы по изучению закономерностей легирования эпитаксиальных гетероструктур на основе соединений группы AIIIBV,поскольку высокая производительность оптоэлектронных компонент на их основе может быть обеспечена лишь при условии однозначных представлений о структурных, оптических и энергетических свойствах материалов гетеропары, а также понимании процессов и закономерностей легирования эпитаксиальных твердых растворов акцепторными и донорными примесями. <...> Примеси вводятся в полупроводниковый слой с целью контролируемого управления типом проводимости, а также целым рядом электрооптических свойств [3–5]. <...> Легирование GaAs, а также твердых растворов на его основе <...>