1 Отделение слабо легированных пленок n-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире © В.В. Вороненков 1, М.В. Вирко 2,В.С.Коготков 2,А.А.Леонидов 2,А.В. Пинчук 2, А.С. Зубрилов 1,Р.И.Горбунов 1,Ф.Е. Латышев 1,Н.И.Бочкарева 1,Ю.С. Леликов 1, Д.В. Тархин 1,А.Н.Смирнов 1,В.Ю.Давыдов 1, И.А. Шеремет 3,Ю.Г. Шретер 1,¶ 1 Физико-технический институт им. <...> А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия 2 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия 3 Финансовый университет при правительстве Российской Федерации, 125993 Москва, Россия ¶ E-mail: y.shreter@mail.ioffe.ru Получена 11 мая 2016 г. Принята к печати 18 мая 2016 г. Сильное поглощение излучения СО2-лазера в сапфире использовано для отделения пленок GaN от темплейтов GaN на сапфире. <...> Лазерное сканирование сапфировой подложки приводило к термической диссоциации GaN на интерфейсе GaN/сапфир и отделению пленки GaN от сапфира. <...> Пороговая плотность энергии лазерного излучения, при которой начиналась диссоциация n-GaN, составила 1.6±0.5Дж/см2. <...> Изучено распределение механических напряжений и поверхностная морфология пленок GaN и сапфировых подложек до и после лазерного отделения методами рамановской спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и растровой электронной микроскопии. <...> Образец вертикального диодаШоттки с величиной плотности прямого тока 100 А/см2 при напряжении 2B и максимальным обратным напряжением 150Визготовлен на основе отделенной пленки n-GaN толщиной 9мкм. <...> Эти свойства GaN могут быть реализованы в полной мере в вертикальных структурах, выращиваемых на объемных кристаллах GaN с низкой плотностью дислокаций и дефектов. <...> Решением проблем, связанных с производством GaN подложек, может стать cрезание (slicing) тонкой пленки GaN c объемного кристалла GaN при малой ширине реза, параллельного ростовой поверхности пленки. <...> Это позволит существенно удешевить стоимость конечного прибора или подложки <...>