1 Рост, cтруктура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок CdTe © И. <...> Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143, Баку, Азербайджан 2 Институт pадиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143, Баку, Азербайджан 3 Бакинский государственный университет, Az-1143, Баку, Азербайджан ¶ E-mail: m.mehrabova@science.az, mehrabova@mail.ru Получена 28 апреля 2015 г. Принята к печати 18 мая 2016 г. Проведено исследование структуры и морфологии поверхности эпитаксиальных пленок CdTe, выращенных на стеклянных подложках без компенсации и с компенсацией дополнительным источником паров Те в процессе роста. <...> Определены оптимальные условия (Tso = 1000−1100 K, Tsu = 570−670K) получения эпитаксиальных пленок с совершенной структурой и чистой, гладкой поверхностью, без включения второй фазы. <...> Установлено, что на стеклянных подложках эпитаксиальные пленки растут плоскостью (111) кубической границентрированной решетки с параметром a = 6.481 . <...> Регулированием температуры основного и компенсирующего источников получены пленки CdTe c n-и p-типом проводимости. <...> Введение Пленки теллурида кадмия (CdTe) в последние годы привлекают внимание исследователей в связи с их перспективами в изготовлении солнечных элементов и радиационных сенсоров. <...> Эффективность таких приборов сильно зависит от структурного совершенства пленок. <...> Разработаны различные методы получения тонких пленок указанного соединения. <...> Впоследние годы опубликованo много работ посвященных получению [4–7] и исследованию оптических и электрических свойств пленок CdTe [8–18]. <...> Известно, что приборы создаются в тонких приповерхностных слоях кристаллов. <...> Всвязи с этим для получения высокоэффективных солнечных элементов и высокочувствительных радиационных детекторов, исследования структуры и морфологии поверхности пленок представляют научный и практический интерес. <...> Эксперимент Внастоящей работе рассматриваются исследования структуры и морфологии поверхности эпитаксиальных <...>