3 05 Поверхностная и объемная проводимость диоксида ванадия © Е.А. Тутов,1 А.В. Мананников,1 H.I. <...> Зломанов3 1 Воронежский государственный архитектурно-строительный университет, 394006 Воронеж, Россия 2College of Engineering, Al-Nahrain University, Baghdad, Iraq 3Московский государственный университет, 119991 Москва, Россия e-mail: tutov_ea@mail.ru Поступило в Редакцию10 марта 2016 г. В окончательной редакции 22 августа 2016 г. На постоянном и переменном токе измерено сопротивление терморезистора ТР-68 на основе пленки диоксида ванадия, изучена температурная зависимость сопротивления в области фазового перехода полупроводник–металл в условиях адсорбционного воздействия. <...> Предложена энергетическая зонная модель, объясняющая ”аномальный“ отклик на адсорбцию донорных газов инверсией типа проводимости поверхностных слоев диоксида ванадия. <...> 2017.03.44240.1799 Введение Фундаментальные и прикладные исследования фазового перехода полупроводник–металл в диоксиде ванадия (VO2), впервые описанного в 1959 г. [1], продолжаются с неубывающим интересом. <...> По сравнению с металлом и изолятор (диэлектрик), и полупроводник характеризуются наличием запрещенной щели в энергетическом спектре носителей заряда, различаясь количественно по величине проводимости. <...> Вместе с тем есть и качественные различия в механизмах проводимости диэлектриков и полупроводников: в диэлектриках перенос носителей заряда осуществляется по локализованным в запрещенной зоне состояниям за счет прыжкового механизма, а в полупроводниках преобладают свободные (зонные) носители заряда — электроны и/или дырки, и проводимость имеет активационный механизм. <...> При этом полупроводник может быть как собственным, с равной концентрацией электронов и дырок (подвижность их, как правило, различна),так и примесным, с преобладающей концентрацией носителей заряда одного типа. <...> Примесная проводимость n-или p-типа может быть вызвана как электрически активными чужеродными атомами, так и дефектами нестехиометрии <...>