1 05 Теплоэлектродинамические механизмы нарастания вольт-амперных характеристик технических сверхпроводников при крипе магнитного потока © В.Р. Романовский Национальный исследовательский центр ”Курчатовский институт“, 123182 Москва, Россия e-mail: romanovskii@aol.com Поступило в Редакцию 28 марта 2016 г. Изучены процессы формирования макроскопических состояний сверхпроводящей ленты, индуцируемые при крипе магнитного потока транспортным током. <...> Показано существование характерных значений напряженности электрического поля, зависящих от скорости ввода тока, свойств сверхпроводника, условий охлаждения и свойств стабилизирующей матрицы, которые лежат в основе теплоэлектродинамических механизмов, влияющих на крутизну нарастания вольт-амперных характеристик технических сверхпроводников. <...> Исследованы условия возникновения токовых неустойчивостей с учетом неравномерного распределения температуры по сечению технического сверхпроводника. <...> Сформулированы условия существования вольтамперных характеристик технических сверхпроводников, допускающие стабильный нагрев сверхпроводника до температуры, равной критической. <...> Результаты проведенного исследования необходимо учитывать при измерении вольт-амперных характеристик сверхпроводящих материалов, определении их критических параметров и тока возникновения неустойчивости. <...> 2017.01.44018.1823 Введение Низкотемпературные и высокотемпературные сверхпроводящие материалы, служащие основой при изготовлении современных технических сверхпроводников (сверхпроводник+матрица или покрытие из несверхпроводящего металла), позволяют создавать электрофизические установки, генерирующие мегавысокие магнитные поля. <...> Поэтому исследованию транспортных свойств технических сверхпроводников уделяется постоянное внимание. <...> Их анализ позволяет выполнить оценку важнейших параметров сверхпроводящих материалов, влияющих на макродинамику электромагнитного поля внутри <...>