1 УДК 542.943:539.232:546.73’21 ФОРМИРОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК ТЕРМООКСИДИРОВАНИЕМ ГЕТЕРОСТРУКТУР Co3O4/InP © Е. В. Томина,@ И. Я. Миттова, А. А. Самсонов, Б. В. Сладкопевцев, Л. С. Зеленина, В. А. Баранова Воронежский государственный университет Россия, 394018, Воронеж, Университетская пл., 1; e-mail: tomina-e-v@yandex.ru Модифицирование поверхности InP магнетронно-нанесенным наноразмерным (30 нм) слоем Co3O4 приводит к реализации транзитного механизма термооксидирования полупроводника и формированию оксидно-фосфатных пленок нанометрового диапазона толщины. <...> Эффективно протекающие транзитные взаимодействия Co3O4 с компонентами полупроводника за счет быстрого химического связывания индия позволяют добиться блокирования его диффузии в пленки. <...> Вторичные взаимодействия оксидов приводят к формированию фосфатного каркаса во внутренних слоях пленок, тогда как вблизи поверхности пленки содержат оксиды кобальта и индия. <...> Наноразмерные оксидные пленки с диэлектрическими и полупроводниковыми свойствами выступают важнейшими объектами современной полупроводниковой наноэлектроники [1] и являются неотъемлемой составляющей гетероструктур на основе АIIIВV [2–4]. <...> В частности, на основе фосфида индия возможно изготовление сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна, светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов и гибридных приборов интегральной электроники, совместимых с кремнием [58]. <...> Однако в отличие от кремния InP не образуют высококачественного собственного оксида, что требует исследования и оптимизации технологических процессов на его основе. <...> Поэтому одной из основных задач целевого формирования гетероструктур с заданными свойствами на фосфиде индия является получение качественных диэлектрических и полупроводниковых пленок оксидов нанометрового диапазона толщины и улучшение свойств границ раздела. <...> Поступило в Редакцию 7 июля 2016 г. 11 В связи с этим цель работы заключалась в установлении влияния магнетронно-нанесенного <...>