70 А. Г. Роках, А. А. Сердобинцев, М. И. Шишкин ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ УДК 621.383.534; 543.51 Модель экзоионного фототранзистора А. Г. Роках, А. А. Сердобинцев, М. И. Шишкин На многослойной полупроводниково-диэлектрической структуре Cu(Al)-SiO-AlGaAs-GaAs-Cu(Al), используемой в качестве мишени масс-спектрометра, проведено физическое моделирование ионных процессов с помощью электронных процессов на модели. <...> Получено лучшее понимание процессов управления выходом вторичных ионов из мишени с помощью света и электрического поля. <...> Описаны электронные свойства мишени, рассматриваемой в качестве полевого фототранзистора с p–n-переходом. <...> Освещение производилось с помощью галогенной лампы накаливания, а электрическое смещение при моделировании осуществлялось электрическим источником, имитирующим автоматическое смещение, создаваемое на мишени током бомбардирующих ионов. <...> Возможность двойного управления выходом вторичных (экзо-) ионов расширяет функциональные возможности мишени, которую можно рассматривать в качестве экзоионного фототранзистора – нового прибора оптоионики. <...> Ключевые слова: вторично-ионный фотоэффект, полупроводниково-диэлектрическая структура, физическое (натурное) моделирование, экзоионный фототранзистор, оптоионика, вторичные ионы, эквивалентный электронный фототранзистор. <...> Введение Обнаруженное относительно недавно влияние подсветки и схемы заземления мишени, например, масс-спектрометра, на изменение выхода вторичных ионов под действием света (т. н. вторично-ионный фотоэффект – ВИФЭ) открывает возможность контролировать ионное распыление мишени с помощью света [1–3] и электрического поля. <...> Это позволяет расширить возможности оптоионики [4–6] в части управления потоком вторичных ионов, осуществляя двухпараметрическое управление массопереносом. <...> Целью данной работы являлось проведение физического моделирования ионных процессов с помощью электронных процессов на модели в виде <...>