53, № 2 УДК 51-73, 519-245 СТОХАСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕКОМБИНАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ДВУМЕРНЫХ И ТРЁХМЕРНЫХ НЕОДНОРОДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ. <...> Сабельфельд, А. Е. Киреева Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. <...> Академика Лаврентьева, 6 E-mail: karl@osmf.sscc.ru kireeva@ssd.sscc.ru Представлены результаты стохастического моделирования рекомбинации электронов и дырок в неоднородном полупроводнике в двумерном и трёхмерном случаях, основанного на дискретном (клеточный автомат) и непрерывном (метод Монте-Карло) подходах. <...> Исследована кинетика процесса рекомбинации частиц в режимах чистой диффузии и диффузии с туннелированием. <...> Обнаружено различие в поведении электронно-дырочных пространственных корреляций, вычисляемых дискретной и непрерывной моделями, и связанного с этим характера формирования сегрегации в трёхмерных полупроводниках. <...> Проведён сравнительный анализ характеристик моделирования, вычисленных с помощью клеточноавтоматной и непрерывной моделей рекомбинации. <...> Широкозонный полупроводник нитрид галлия (GaN) является перспективным материалом для разработок полевых транзисторов и современной оптоэлектроники. <...> Исследование процессов, протекающих в полупроводниках, способствует созданию полупроводниковых материалов с улучшенными характеристиками, а также расширению области применения приборов на их основе. <...> Созданная в [1–3] стохастическая модель рекомбинации электронов и дырок в неоднородном полупроводнике GaN описана в [4]. <...> В этих работах под неоднородностью понимается пространственная неоднородность полупроводника, в объёме которого случайным образом распределены электроны, дырки и дефекты — центры рекомбинации. <...> В модели изучается случай, когда в начальный момент времени с помощью фемтосекундного лазера в полупроводнике создаётся избыток электронов и дырок, затем частицы аннигилируют друг с другом путём туннелирования и при непосредственном <...>