102 УДК 538.935 О ТРАНСПОРТЕ ЗАРЯДА В ТОНКИХ ПЛЁНКАХ ОКСИДОВ ГАФНИЯ И ЦИРКОНИЯ∗ Д. Р. <...> Пирогова, 2 3National Chiao Tung University, University Road 1001, Hsinchu, 300, Taiwan ROC E-mail: damir@isp.nsc.ru Исследован механизм транспорта заряда в МДП-структурах на основе тонких плёнок оксидов гафния и циркония. <...> Показано, что в изучаемых материалах транспорт лимитируется фонон-облегчённым туннелированием между ловушками. <...> Из сравнения экспериментальных вольт-амперных характеристик МДП-структур n-Si/HfO2/Ni и n-Si/ZrO2/Ni с рассчитанными определены термическая и оптическая энергии ловушек. <...> Продемонстрировано, что вакансии кислорода являются центрами локализации (ловушками) носителей заряда в HfO2 и ZrO2. <...> Ключевые слова: аморфные плёнки, диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью, оксид гафния, оксид циркония, транспорт. <...> Масштабирование проектной нормы технологического процесса полупроводникового производства в сторону уменьшения привело к резкому повышению туннельной прозрачности оксида кремния SiO2—классического диэлектрика кремниевой технологии. <...> В качестве альтернативы SiO2 несколько лет назад были предложены диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью (high-κ диэлектрики) [1]. <...> Так, твёрдые растворы на основе оксида гафния HfO2 уже внедрены в производство современных микропроцессоров в качестве подзатворного диэлектрика КМОП-транзисторов [2–6] и блокирующего диэлектрического слоя в элементах флеш-памяти на структурах кремний—оксид— нитрид—оксид—кремний [7, 8]. <...> High-κ оксид циркония ZrO2 наряду с HfO2 является одним из перспективных материалов для активной среды элемента энергонезависимой резистивной памяти [9–12]. <...> Резистивная память в перспективе может стать универсальной в электронных приборах, заменив собой современные виды запоминающих устройств: оперативную память, жёсткие диски, энергонезависимую флеш-память на базе транзисторов с плавающим затвором [13–17]. <...> Другой претендент на роль универсальной памяти — сегнетоэлектрическая <...>