В рамках теории возмущений проведен расчет мнимой части бесфононной проводимости слаболегированного компенсированного полупроводника. <...> Показано, что при использовании базиса локализованных функций атомного типа суперлинейной частотной зависимости вещественной части проводимости соответствует частотная зависимость мнимой части проводимости близкая к линейной. <...> Найдено, что при частотах меньших частоты перехода (кроссовера) и>сг от линейной к квадратичной частотной зависимости вещественной части проводимости, тангенс угла диэлектрических потерь слабо зависит от частоты и определяется отношением hojcx к ширине примесной зоны. <...> Показано, что из измерений тангенса угла диэлектрических потерь можно получить информацию о радиусе локализации примесных состояний! <...>